سریع‌ترین حافظه جهان معرفی شد

یک تیم پژوهشی از دانشگاه فودان چین موفق به ساخت سریع‌ترین حافظه نیمه‌هادی جهان با نام PoX شده است؛ حافظه‌ای غیرفرار که توانایی ثبت یک بیت داده در فقط ۴۰۰ پیکوثانیه را دارد—یعنی قابلیت انجام ۲۵ میلیارد عملیات در هر ثانیه. این فناوری، حدود ۱۰۰ هزار برابر سریع‌تر از حافظه‌های فلش امروزی عمل می‌کند.

برخلاف RAM که با قطع برق داده‌ها را از دست می‌دهد، حافظه PoX می‌تواند اطلاعات را بدون نیاز به برق حفظ کند. این ویژگی، آن را برای سیستم‌های هوش مصنوعی و دستگاه‌های کم‌مصرف باتری به گزینه‌ای ایده‌آل تبدیل کرده است.

پروفسور ژو پنگ و تیمش با استفاده از گرافن دوبعدی به‌جای کانال‌های سیلیکونی و انتقال بالستیک بار، طراحی فیزیکی حافظه فلش را بازنویسی کرده‌اند. این تغییرات علاوه بر افزایش چشمگیر سرعت، باعث کاهش مصرف انرژی نیز شده‌اند.

این فناوری نوین می‌تواند جایگزین کش‌های پرمصرف SRAM در تراشه‌های هوش مصنوعی شود و در آینده، راه را برای لپ‌تاپ‌ها و گوشی‌هایی با روشن شدن آنی و مصرف پایین انرژی هموار کند.

به گزارش دیجیاتو، دانشمندان دانشگاه فودان اکنون مشغول توسعه معماری آرایه‌ای این حافظه هستند. هرچند هنوز جزئیاتی از شرکای صنعتی منتشر نشده، اما این فناوری با فرایندهای تولید مبتنی بر مواد دوبعدی که در کارخانه‌های جهانی توسعه می‌یابند، سازگار است.