جدیدترین اخبار
10 دی 1397 ساعت 13:34 دانش و فناوری کد خبر :456610

رکورد سرعت نوشتن حافظه‌‌ SST_MRAM با ظرفیت 128Mb شکسته شد

یک تیم ژاپنی توانستند رکورد سرعت نوشتن داده را در یک حافظه‌‌ی ۱۲۸ مگابیتی از نوع SST_MRAM به ۱۴ نانوثانیه برسانند.

یک تیم پژوهشی به‌‌رهبری پروفسور تتسو ایندو در دانشگاه توهوکو با موفقیت توانستند یک STT-MRAM (نوعی رم مغناطیس‌‌مقاوم) را با سرعت نوشتن ۱۴نانوثانیه تولید کنند که برای استفاده در حافظه‌‌های تعبیه‌شده مانند حافظه‌‌ی کش در اینترنت اشیا و هوش مصنوعی کاربرد خواهد داشت. این در حال حاضر سریع‌ترین سرعت نوشتن برای کاربرد حافظه‌‌ی تعبیه‌شده با ظرفیت بالای ۱۰۰ مگابیت است و دستاورد یادشده به‌‌زودی راه را برای تولید انبوه رم‌‌هایی با ظرفیت بالاتر هموار ‌خواهد کرد.

رم STT-MRAM قادر به انجام عملیات با سرعتی بالا و درعین‌حال مصرف توان بسیار پایین است. این نوع حافظه قادر است حتی درصورت خاموشی منبع تغذیه نیز داده‌ها را حفظ کند. به‌‌دلیل این ویژگی‌ها، پتانسیل آن را دارد که به‌‌عنوان تکنولوژی نسل بعدی برای کاربردهایی نظیر حافظه‌‌ی تعبیه‌شده و حافظه‌‌ی اصلی به‌‌کار رود. سه شرکت بزرگ از صنایع تولیدکننده‌‌ی نیمه‌هادی اعلام کرده‌اند که تولید انبوه این قطعات تا پایان سال ۲۰۱۸ آغاز خواهد شد.

از آنجا که حافظه یکی از اجزای حیاتی سیستم‌های رایانه‌‌ای، تجهیزات همراه و ذخیره‌‌سازی است، صحت عملکرد و قابلیت اطمینان آن از اهمیت زیادی در میان فناوری‌‌های انرژی سبز برخوردار است.

(a) تصویر مدل ماکت از STT-MRAM با ظرفیت ۱۲۸ مگابیت (b) نمودار سرعت نوشتن در رم براساس ولتاژ منبع تغذیه

ظرفیت کنونی STT-MRAM بین ۸ تا ۴۰ مگابیت است؛ اما برای اینکه بتوان به کاربری‌‌های عملی‌‌تری از این حافظه دست یافت، باید ظرفیت این حافظه‌‌ها را افزایش دهیم. تیم نام‌برده در مرکز سیستم‌های الکترونیکی یکپارچه (CIES) با یکپارچه‌‌سازی پیوند تونل مغناطیسی (MTJs) با CMOS ظرفیت این نوع رم را افزایش داده‌‌‌اند. این امر منجر به کاهش قابل‌توجهی در مصرف حافظه‌‌های تعبیه‌‌شده (نظیر حافظه‌‌ی نهان و حافظه‌‌ی eFlash) شده است.

فناوری پیوند تونل مغناطیسی از طریق مجموعه‌ای از فعالیت‌‌های توسعه‌‌ی فرآیند به ابعاد کوچک فعلی رسیده است. برای کاهش ابعاد حافظه موردنیاز در تکنولوژی STT-MRAM، پیوند‌‌های تونل مغناطیسی مستقیماً روی سوراخ‌های کوچکی (که اتصال رسانا را بین لایه‌های مختلف یک تجهیز نیمه‌هادی ممکن می‌سازند) ایجاد شده‌‌اند. با استفاده از این حافظه‌‌های ظریف‌‌تر، گروه پژوهشی توانستند یک STT-MRAM با ظرفیت ۱۲۸ مگابیت را طراحی و نهایتاً آن را روی یک تراشه مونتاژ کنند.

در تراشه­­‌ی مونتاژشده، پژوهشگران سرعت نوشتن داده را اندازه‌گیری کردند. در نتیجه این عملیات، سرعت نوشتن ۱۴ نانوثانیه‌‌ با منبع تغذیه‌‌ی کم‌‌مصرف ۱۲ولتی ثبت شد. این بالاترین سرعت در عملیات نوشتن یک تراشه­‌ی STT-MRAM با ظرفیت بیش از ۱۰۰ مگابیت در جهان بوده است.

Ad

Ad
Ad

روی خط خبر

  • تاکید ایران و اسپانیا بر توسعه همکاری های زیست محیطی
  • اجرای قانون افزایش قیمت بنزین ناقص بود
  • ثبت ۶ ‌میلیون درخواست برای دریافت یارانه معیشتی
  • برنامه کنسرت خوانندگان پاپ در آخرین هفته پاییز
  • اصلاح قیمت بنزین باعث کاهش تردد خودروهای تک سرنشین شده است
  • کنسرت آهنگساز ایرانی در اتریش با پرچم فلسطین
  • فروشگاه‌ها فرآورده‌های غذایی را فقط از شرکت‌های پخش مجاز تحویل بگیرند
  • مشکلات استان تهران از زبان استاندارش
  • «منطقه پرواز ممنوع» ۳ میلیاردی شد
  • ماجرای ارکستر موسیقی که به استقبال رؤسای جمهور می‌آید
  • شاخص آلودگی صوتی در ۱۲ نقطه تهران خطرناک است
  • علاقه ای به سینمای لوده گری ندارم
  • «مرشد و مارگریتا» ساخته می‌شود
  • دو واحد متخلف و آلاینده به مراجع قضائی معرفی شدند
  • خواننده زیرزمینی که نقش اصلی یک سریال شد
  • کسری بودجه 50 میلیارد دلاری عربستان سعودی در سال 2020
  • دستگیری شکارچیان قوچ‌ها و پازن‌های پناهگاه حیات‌وحش خوشییلاق
  • مشخصات شاسی بلند جدید سیف خودرو SWM G01
  • کاهش میزان نفت خام ورودی به پالایشگاه‌های آمریکا در هفته اخیر
  • کنگره آمریکا در حمایت از ناآرامی‌های ایران لایحه داد
  • چین بزرگترین زندان خبرنگاران در جهان
  • ۱۰شهر برتر جهان از نظر حمل و نقل عمومی
  • ترکان: بن مواد غذایی جایگزین یارانه نقدی شود
  • معرفی نامزدهای بین‌المللی آکادمی استرالیا
  • گندمی که به دولت فروخته نشد نصیب واسطه‌ها شد؟
  • سنگینی افزایش قیمت بنزین بر روی شانه‌های مترو
  • بودجه ۹۹ تورم زا است
  • نفت تمام شد، فصل بزرگ‌شدن است
  • تولید ۱۷.۴ میلیون تن شمش و ۱۳.۵ میلیون تن محصولات فولادی
  • دعوت از ارتش قطر برای حضور در رزمایش «آیونز» در اقیانوس هند
  • Ad